锗具有半导体性质。锗的禁带宽度（ 300K ） 0.67 电子伏特，本征电阻率（ 27℃ ） 47 欧姆 · 厘米，电子迁移率 3900±100 厘米 2/ （伏 · 秒），空穴迁移率 1900±50 厘米 2 （伏 · 秒），电子扩散系数 100 厘米 2/ 秒，空穴扩散系数 48.7 厘米 2/ 秒。
锗的制取第一步是从重有色金属冶炼过程回收锗的富集物，然后再制备高纯锗单晶：首先将富集物用浓盐酸氯化，制取四氯化锗，再用盐酸溶剂萃取法除去主要的杂质砷，然后经石英塔两次精馏提纯，再经高纯盐酸洗涤，可得高纯四氯化锗，用高纯水使四氯化锗水解，得高纯二氧化锗。一些杂质会进入水解母液，所以水解过程也是提纯过程。纯二氧化锗经烘干煅烧，在还原炉的石英管内用氢气于 650 -680℃ 还原得到金属锗。还原终结时逐渐升温至 1000 -1100℃ ，使锗熔化，将石墨舟从还原炉中缓缓拉出，控制温度，把杂质驱至尾端，这种方法称为定向结晶法。切去锗锭的尾端，其余部分的纯度大大提高。
锗在电子工业中的用途，已逐渐被硅代替。但由于锗的电子和空穴迁移率较硅高，在高速开关电路方面，锗比硅的性能好。锗主要用于电子工业中，用来生产低功率半导体二极管三极管，锗在红外器件， γ 辐射探测器方面有着新的用途，金属锗能让 2-15 微米的红外线通过，又和玻璃一样易被抛光，能有效地抵制大气的腐蚀，可用以制造红外窗口、三棱镜和红外光学透镜材料。锗还与铌形成化合物，用作超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂。用氧化锗制造的玻璃有较高的折射率和色散性能，可用于广角照像镜头和显微镜。锗还可用来制造药品。
